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瓦森納安排(WA)對(duì)半導(dǎo)體軟件實(shí)施管制

來源:中國出口管制信息網(wǎng) 時(shí)間: 2021-12-22


2021年12月22日,,瓦森納安排(WA)發(fā)布修改后的管制清單,,其中,,第3類“電子”領(lǐng)域中涉及半導(dǎo)體的部分改動(dòng)相對(duì)較大,,主要如下:

(1)在半導(dǎo)體基板,、高阻率材料襯底以及襯底外延層三個(gè)物項(xiàng)中,,新增氧化鎵 (Ga2O3)和金剛石,。

(2)新增“電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)”(ECAD)“軟件”,,專門用于開發(fā)具有任何“柵極全能場(chǎng)效應(yīng)晶體管”(GAAFET)結(jié)構(gòu)的集成電路,,包括專為將“寄存器傳輸級(jí)”(RTL)實(shí)施到“幾何數(shù)據(jù)庫標(biāo)準(zhǔn) II”(GDSII)或等效標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì),;或者專為優(yōu)化功率或時(shí)序規(guī)則而設(shè)計(jì)。

為確定管制范圍,,增加對(duì)“電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)”(ECAD),、寄存器傳輸級(jí) (RTL)、“幾何數(shù)據(jù)庫標(biāo)準(zhǔn)II”(GDSII)的技術(shù)說明,。

(3)在半導(dǎo)體技術(shù)項(xiàng)下新增電子元器件用氧化鎵基板,。

來源:中國出口管制信息網(wǎng)