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2021年12月22日，瓦森納安排（WA）發(fā)布修改后的管制清單，其中，第3類“電子”領域中涉及半導體的部分改動相對較大，主要如下：

（1）在半導體基板、高阻率材料襯底以及襯底外延層三個物項中，新增氧化鎵 (Ga2O3)和金剛石。

（2）新增“電子計算機輔助設計”（ECAD）“軟件”，專門用于開發(fā)具有任何“柵極全能場效應晶體管”（GAAFET）結構的集成電路，包括專為將“寄存器傳輸級”（RTL）實施到“幾何數據庫標準 II”（GDSII）或等效標準而設計；或者專為優(yōu)化功率或時序規(guī)則而設計。

為確定管制范圍，增加對“電子計算機輔助設計”（ECAD）、寄存器傳輸級 （RTL）、“幾何數據庫標準II”（GDSII）的技術說明。

（3）在半導體技術項下新增電子元器件用氧化鎵基板。

來源：中國出口管制信息網