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瓦森納安排（WA）對(duì)半導(dǎo)體軟件實(shí)施管制
來(lái)源:中國(guó)出口管制信息網(wǎng) 時(shí)間: 2021-12-22
2021年12月22日,，瓦森納安排（WA）發(fā)布修改后的管制清單,，其中，第3類(lèi)“電子”領(lǐng)域中涉及半導(dǎo)體的部分改動(dòng)相對(duì)較大,，主要如下：
（1）在半導(dǎo)體基板,、高阻率材料襯底以及襯底外延層三個(gè)物項(xiàng)中，新增氧化鎵 (Ga2O3)和金剛石,。
（2）新增“電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)”（ECAD）“軟件”,，專(zhuān)門(mén)用于開(kāi)發(fā)具有任何“柵極全能場(chǎng)效應(yīng)晶體管”（GAAFET）結(jié)構(gòu)的集成電路,，包括專(zhuān)為將“寄存器傳輸級(jí)”（RTL）實(shí)施到“幾何數(shù)據(jù)庫(kù)標(biāo)準(zhǔn) II”（GDSII）或等效標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)；或者專(zhuān)為優(yōu)化功率或時(shí)序規(guī)則而設(shè)計(jì),。
為確定管制范圍,，增加對(duì)“電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)”（ECAD）、寄存器傳輸級(jí) （RTL）,、“幾何數(shù)據(jù)庫(kù)標(biāo)準(zhǔn)II”（GDSII）的技術(shù)說(shuō)明,。
（3）在半導(dǎo)體技術(shù)項(xiàng)下新增電子元器件用氧化鎵基板。
來(lái)源：中國(guó)出口管制信息網(wǎng)